NDS332P

概述

这些P沟道逻辑电平增强模式下的功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以最大限度地减少通态电阻。 这些器件特别适合用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理，便携式电子产品，和其它电池供电的电路，快速高边开关，以及低线的功率损耗是在一个非常小的轮廓表面贴装封装所需的。

特点

一个-1，-20 V时，RDS（ON）= 0.41 W @ VGS = -2.7 V，RDS（ON）= 0.3 W @ VGS = -4.5 V 。
非常低的水平栅极驱动的要求，允许直接操作在3V电路。 VGS（TH）<1.0V。
专有的包装设计，使用铜引线框架优越的热性能和电气功能。
极低的RDS（ON）的高密度的单元设计。
电阻和最大直流电流能力的特殊。
紧凑型行业标准的SOT - 23表面贴装封装。

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。