FDV302P

概述

这个P -沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以最大限度地减少通态电阻。 本装置已设计，尤其是更换为数字晶体管的低电压应用。 由于偏置电阻是不需要的，这一个P沟道FET可以替换不同的偏置电阻，如DTCx DCDx系列的几个数字晶体管。

特点

-25 V，-0.12一个连续的，-0.5高峰。 RDS（ON）= 13 W @ VGS = -2.7 V时，RDS（ON）= 10瓦@ VGS = -4.5 V 。
非常低的水平栅极驱动的要求，允许直接操作在3V电路。 VGS（TH）<1.5V。
门源齐纳二极管的ESD坚固性。 > 6kV的人体模型。
紧凑型行业标准的SOT - 23表面贴装封装。
替换之一的DMOS FET的许多数字晶体管的PNP（DTCx和DCDx）。

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