NDS0610

概述

这些P沟道增强型场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，旨在最大限度地减少通态电阻，提供坚固耐用，性能可靠和快速开关。 ，用最小的努力，它们可以用在最需要达至120mA直流的应用，可提供电流高达1A。 本产品特别适合于要求低电流高边开关的低电压应用。

特点

0.12A，- 60V。 R DS（ON）= 10 W @ V GS = 10 V
R DS（ON）= 20 W，@ V GS = -4.5 V
电压控制P -通道小信号开关
高密度的单元设计低RDS（ON），
高饱和电流

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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