FDN360P

概述

这P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽的进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。

这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。

特点

一个-2，-30 V
的R DS（ON）= 80 m宽的V GS = 10 V
的R DS（ON）= 125 m宽的V GS = -4.5 V
低栅极电荷（6.2nC的典型）
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
业界标准的SOT - 23封装的高功率版本。 相同的引脚的SOT - 23高出30％的功率处理能力。

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