FQP4N90C

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。

这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源。

特点

4A，900V
的R DS（ON）= 4.2 W @ V GS = 10V
低栅极电荷（典型的17 NC）
低CRSS（典型值5.6 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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