概述
此20V N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压的PowerTrench工艺。 它已被优化电源管理应用。
特点
为0.9 A,20 V,
R DS(ON)= 220 m宽的V GS = 4.5V
R DS(ON)= 300 m宽的V GS = 2.5V
低栅极电荷
开关速度快
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
应用/框图(S)
负荷开关
电池保护
电源管理
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