FDMC8200

概述

该器件包括两个专门在双Power33（3mm x 3mm的MLP）的封装的N沟道MOSFET。 开关节点已在内部连接，方便放置和同步降压转换器的路由。 控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（Q2）已设计提供最佳的电源效率。

特点

问题1：N沟道
最大R DS（ON）= 20MΩ在V GS = 10V，I D = 6
最大R DS（ON）= 32MΩ在V GS = 4.5V，I D = 5一

问题2：N沟道
最大R DS（ON）= 9.5MΩ在V GS = 10V，I D = 9
最大R DS（ON）= 13.5MΩ在V GS = 4.5V，I D = 7一
符合RoHS标准

应用/框图（S）

移动计算
移动互联网设备
通用负载点

应用笔记

AN - 9057：非对称双Power33包装大会指南 （444 K）2011年8月05，

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