FDS6930B

概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET producedusing飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别是tailoredto降到最低通态电阻，但maintainsuperior开关performance.These装置，适合低电压andbattery的低线powerloss和快速供电的应用切换是需要。

特点

5.5A，30V
R DS（ON）= 38 m宽的V GS = 10V
R DS（ON）= 50 m宽的V GS = 4.5V
开关速度快
低栅极电荷
extremelylow的R DS（ON）的高性能沟槽技术
高功率和电流处理能力

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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