FDS2672_F085

概述

这单N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进UItraFET海沟®过程中已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。

特点

最大R DS（ON）=70mΩatV GS = 10V，I D = 3.9A
最大R DS（ON）=80mΩatV GS = 6V，I D = 3.5A
开关速度快
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

应用/框图（S）

DC - DC转换

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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