FDZ192NZ

概述

飞兆半导体先进的1.5伏的PowerTrench设计FDZ192NZ的艺术，“细间距”的WLCSP packagin过程中的状态的过程中，最大限度地减少电路板空间和R DS（ ON）。 这种先进的WLCSP封装的MOSFET EMBO模具中的包装技术，使设备，结合优良的热传输特性，超低扁平封装，低栅极电荷和低R DS（ON）的突破。

特点

最大R DS（ON）=39mΩ在V GS = 4.5V，I D = 2.0A
最大R DS（ON）=43mΩ在V GS = 2.5V，I D = 2.0A
最大R DS（ON）=49mΩ在V GS = 1.8V，I D = 1.0A
最大R DS（ON）=55mΩ在V GS = 1.5V，I D = 1.0A
只占用PCB面积1.5 mm2的。 不到50％的面积2X2的BGA
超薄封装：小于0.65毫米的高度安装到PCB上时，
HBM ESD保护水平> 2200V（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）

电池管理
负荷开关
电池保护

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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