FDD8424H_F085

概述

这些双N和P沟道增强型功率MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench的过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。

特点

问题1：N沟道

最大R DS（ON）=24mΩ，在V GS = 10V，I D = 9.0A
最大R DS（ON）=30mΩatV GS = 4.5V，I D = 7.0A

问题2：P通道

最大R DS（ON）=54mΩ，在V GS = 10V，I D = 6.5A
最大R DS（ON）=70mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 5.6A
开关速度快
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

应用/框图（S）

逆变器
H桥

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