FDS9933BZ

概述

这些P沟道2.5V指定的MOSFET使用飞兆半导体先进的PowerTrench ®已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷的过程。
这些器件非常适合于便携式电子产品的应用：负荷开关和电源管理，电池充电和保护电路。

特点

最大R DS（ON）=46mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 4.9A
最大R DS（ON）=69mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 4.0A
低栅极电荷（11nC典型）。
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）。
HBM ESD保护水平> 3KV（注3）。
符合RoHS标准

应用/框图（S）

电池充电
负载开关

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