FDN338P

概述

这种P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench过程。 电池电源管理应用进行了优化。

特点

-1.6一个，-20 V。

R DS（ON）= 115 m宽@ VGS = -4.5 V

R DS（ON）= 155 m宽@ VGS = -2.5 V
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
SuperSOT™-3提供低R DS（ON）和30％更高的功率比SOT23封装，在相同的空间处理能力

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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