FDC6327C

概述

这些N和P沟道2.5V指定的MOSFET都采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。


这些设备都被设计提供出色的功耗，在一个更​​大更昂贵的SO - 8和TSSOP - 8封装是不切实际的应用程序非常小的足迹。

特点

N沟道2.7A，20V。 的R DS（ON）= 0.08 W @ V GS = 4.5V，R DS（ON）= 0.12 W @ V GS = 2.5V
P通道1.6A，- 20V.R DS（ON）= 0.17 W @ V GS = 4.5V，电阻R DS（ON）= 0.25 W @ V GS = 2.5V
开关速度快。
低栅极电荷。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
SuperSOT™-6包：体积小（比标准SO - 8小72％）;低调（1mm厚）。

应用/框图（S）

DC / DC转换器
负荷开关
马达驱动

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