FDMC510P

概述

这个P -通道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽®进程，已优化的R DS（ON）的开关性能和耐用性生产。

特点

最大 的R DS（ON）= 8.0MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -12一
最大 的R DS（ON）= 9.8MΩ在V GS = -2.5 V，I D = -10一
最大 的R DS（ON）= 13MΩ在V GS = -1.8 V，I D = -9.3一个
最大 的R DS（ON）= 17MΩ在V GS = -1.5 V，I = -8.3一个
极低的R DS（ON）的高性能沟槽技术
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
100％UIL的测试
终止是无铅和符合RoHS
HBM ESD能力水平> 2KV典型

应用/框图（S）

电池管理
负荷开关

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