NDC7002N

概述

这些双N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，旨在最大限度地减少通态电阻，提供坚固耐用，性能可靠和快速开关。 这些器件特别适合于低电压低电流高边开关的应用要求。

特点

0.51一个，50 V的R DS（ON）= 2 W @ V GS = 10 V 。
非常低R DS（ON），高密度的单元设计。
专有SuperSOT TM -6包装设计，使用铜引线框架优越的热性能和电气功能。
高饱和电流。

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