FDG6332C_F085

概述
的N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。
这些设备都被设计在一个非常小的的空间更大更昂贵的TSSOP - 8和SSOP - 6封装是不切实际的应用提供出色的功耗。

特点
Q1 0.7A，20V。
R DS（ON）=300mΩ@ V GS = 4.5V
R DS（ON）=400mΩ@ V GS = 2.5V
Q2 - 0.6A，- 20V。
R DS（ON）=420mΩ@ V GS = 4.5V
R DS（ON）=630mΩ@ V GS = 2.5V
低栅极电荷
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
SC70 - 60封装：占地面积小（比SSOT - 6封装小51％）;低调（1mm厚）
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

应用/框图（S）
DC / DC转换器
负荷开关
液晶显示器逆变器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。