FDS3890

概述
已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。
这些MOSFET具有更快的开关和低于其他可比的R DS（ON）规格的MOSFET的栅极电荷。 结果是MOSFET驱动器（即使在非常高的频率），并具有较高的综合效率的直流/直流电源供应器设计，是很简单的安全。

特点
4.7，80伏
的R DS（ON）= 44 m宽的V GS = 10V
的R DS（ON）= 50 m宽的V GS = 6伏
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力

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