FDY101PZ

概述
这个单一P沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽过程优化的 R DS（ON），@ V GS = 2.5V 。

特点
-150毫安，20 V，
R DS（ON）= 8Ω@ V GS = -4.5 V
R DS（ON）= 12Ω@ V GS = -2.5 V
ESD保护二极管（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）
锂离子电池

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