NDT3055

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以尽量减少通态电阻，并提供出色的开关性能。 这些器件特别适合于低电压应用，如直流马达控制和直流/直流转换，快速开关，线路功率损耗低，抗瞬态需要。

特点

4 A，60 V的R DS（ON）= 0.100 W @ V GS = 10 V 。
非常低R DS（ON），高密度的单元设计。
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力。

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