FDS6898AZ

概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别针对降低通态电阻，同时保持出色的开关性能。

这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。

特点

9.4，20 V
R DS（ON）= 14 m宽的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 18 m宽的V GS = 2.5V
低栅极电荷（典型值16 NC）
ESD保护二极管（注3）
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力

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