NDS351AN

概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别针对降低通态电阻，同时保持出色的开关性能。

这些器件特别适合笔记本电脑，手提电话，PCMCIA卡，和其它电池供电的电路，快速开关，线路功率损耗低需要在一个非常小的轮廓表面贴装封装的低电压应用。

特点

1.4A，30 V的
的RDS（ON）= 160 m宽@ VGS = 10V
的RDS（ON）= 250 m宽@ VGS = 4.5V
超低栅极电荷
工业标准大纲的SOT - 23表面贴装封装使用专有SuperSOT TM -3设计优越的热性能和电气功能
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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