FDS9926A

概述

这些N沟道2.5V指定的MOSFET使用了飞兆半导体先进的PowerTrench过程。 它已被优化的栅极驱​​动电压范围广（2.5V - 10V）电源管理应用。

特点

6.5 A，20 V
R DS（ON）= 30MΩ@ V GS = 4.5V
R DS（ON）= 43MΩ@ V GS = 2.5V
在使用电池的保护电路进行了优化
± 10 VGSS允许工作电压范围宽
低栅极电荷

应用/框图（S）

电池保护
负荷开关
电源管理

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