NDB6020P

概述

这些逻辑电平P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和通讯模式。 这些器件特别适合于低电压应用，如汽车，直流/直流转换器，PWM电机控制，和其它电池供电的电路，快速开关，线路功率损耗低，抗瞬态需要。

特点

-24一-20五的RDS（ON）= 0.05 W @ VGS = -4.5 V，RDS（ON）= 0.07 W @ VGS = -2.7 V，RDS（ON）= 0.075 W @ VGS = -2.5 V 。
在高温下的临界直流电气参数。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除外部齐纳二极管，瞬态抑制器的需要。
175℃的最高结温评级。
极低的RDS（ON）的高密度的单元设计。
TO - 220和TO - 263（D2PAK）封装，通过孔和表面贴装应用。 极低的RDS（ON）的高密度的单元设计。
TO - 220和TO - 263（D2PAK）封装，通过孔和表面贴装应用。

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