概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制,以最大限度地减少通态电阻,提供出色的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合低电压DC / DC转换器,在便携式和电池供电产品的高效率开关电源管理等应用。
特点
40A,60V,电阻R DS(ON)= 0.016 W @ V GS = 10V
低栅极电荷(典型的48 NC)
低CRSS(典型值100 pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
175℃的最高结温评级
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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