说明
该M40Z111 / W型的NVRAM主管是一个独立的装置,转换成非挥发性记忆体标准的低功耗SRAM。
精密电压参考和比较器监视VCCinput是否超出容限的条件。
当一个无效VCCcondition发生,条件芯片使能(经济)的输出被强制停止到写保护在SRAM中存储的数据。
在电源发生故障时,SRAM是从VCCpin切换到锂电池内SNAPHAT ®提供的数据保留所需的能量。在随后的电,仍写在SRAM功率条件下,直到一个有效的回报保障。
28针,330万在SOIC封装提供可直接连接到一个单独的SNAPHAT住房包含电池两端镀金触点插座。独特的设计使电池包的SNAPHAT拟就的SOIC封装顶部安装后的表面贴装过程完成。
在回流焊后SNAPHAT防止潜在的住房插入电池造成的损害进行设备表面安装所需的高温。该SNAPHAT住房是挂钩的防止反向插入。
采用SOIC封装和电池分别运往塑料防静电管或磁带和卷轴形式。对于28引脚SOIC封装,电池包(例如,SNAPHAT)的一部分,编号为“M4Z28 - BR00SH1”(SNAPHAT住房48毫安电池)或“M4Z32 - BR00SH1”(SNAPHAT 120 mAh电池外壳)。
主要特点
转换成低功率SRAM的NVRAMs
精密电源监测和电源开关电路
自动写保护当VCCis外的宽容
电源电压和功率的选择失效取消电压:
M40Z111:的VCC = 4.5至5.5 V的主题性住户统计= VSS的;≤4.5≤VPFD = VOUT的主题性住户统计为4.75 V,4.2≤≤4.5伏VPFD
M40Z111W:的VCC = 3.0至3.6 V性住户统计调查= VSS的; 2.8≤3.0≤VPFD的Vcc = 2.7至3.3 V性住户统计调查= VOUT的;≤2.5≤VPFD采用2.7 V
小于15 ns的传播延迟启用存取芯片(为5.0 V的设备)
包装包括一个28引脚SOIC和SNAPHAT ®顶(需单独订购)
SOIC封装提供了一个SNAPHAT顶部包含电池直接连接
符合RoHS标准
无铅二级互连
全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价
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