M40SZ100W

说明

该M40SZ100Y / W型的NVRAM控制器是一个独立的装置，转换成非挥发性记忆体标准的低功耗SRAM。精密电​​压参考和比较器监视VCC输入是否超出容限的条件。

当一个无效VCCcondition发生时，芯片使能输出条件（经济）被强制停止到写保护在SRAM中存储的数据。在电源发生故障时，SRAM是从VCC引脚切换到内SNAPHAT（或16引脚SOIC外部电池）锂电池，提供数据保存所需的能量。在随后的电，仍写在SRAM功率条件下，直到一个有效的回报保障。

28针，330密耳SOIC封装提供了可直接连接到一个单独的SNAPHAT ®住房包含电池镀金触点插座。该SNAPHAT房屋已镀金引脚确保可靠连接，用以交配的插座。住房，关键在于有一套以防止不正确插入。这种独特的设计使电池包的SNAPHAT拟就的SOIC封装顶部安装后的表面贴装过程的完成，大大减少了焊成的支架中板生产直接焊接或插入电池过程的复杂性。提供非挥发性成了“小菜一碟。”此功能也是在“无上装”16引脚SOIC封装（MQ的）提供。

在回流焊后SNAPHAT防止潜在的住房插入电池造成的损害进行设备表面安装所需的高温。该SNAPHAT住房也是扣住以防止反向插入。

28引脚SOIC封装和电池分别运往塑料防静电管或磁带和卷轴形式。对于28引脚SOIC，电池/水晶包（例如，SNAPHAT）的一部分，编号为“M4ZXX - BR00SH”（见第23页表13）。

主要特点

    转换成低功率SRAM的NVRAMs
    5V或3V工作电压
    精密电​​源监测和电源开关电路
    自动写保护当VCCis外的宽容
    电源电压和功率的选择失效取消电压：
        M40SZ100Y：的VCC = 4.5至5.5V; 4.20V≤4.50≤VPFD
        M40SZ100W：的VCC = 2.7至3.6V，2.55V≤2.70 V≤VPFD
    复位输出功率（RST）的上电复位
    1.25V的引用（联谊会/ PFO的）
    小于10ns的芯片能够访问传输延迟（在5V）
    选购包装包括一个28引脚SOIC和SNAPHAT ®顶（需单独订购）
    28引脚SOIC封装提供了一个SNAPHAT顶部包含电池直接连接
    电池低引脚（基本法）
    符合RoHS标准
        无铅二级互连

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