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描述
HGTP12N60A4D和HGT1S12N60A4DS的HGTG12N60A4D是马鞍山,封闭的高电压开关器件mosfet结合的最佳特征和双极晶体管。这些设备的高输入阻抗和低场效应晶体管导通状态的双极晶体管导通损失。较低的电压降的导通状态变化之间只有适度25阿C和150阿的IGBT使用C型TA49335是发展。用于anti-parallel二极管的TA49371是发展类型。这IGBT是理想的许多高电压开关应用程序运行在高频段低传导损失的地方是至关重要的。该装置进行了优化,为高频频率切换式电源供应。
TA49337从前发育类型。
特征
更大的占空比,操作............ > 12A达100kHz
更大的占空比,操作............ 200kHz 9A
SOA能力600伏特转换
在典型的秋天时间............ 125°70ns研究= C
传导损失低
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