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描述
是一种MOS封闭的FGH50N3高压开关器件mosfet结合的最佳特征和双极晶体管。这些设备的高输入阻抗和低场效应晶体管导通状态的双极晶体管导通损失。较低的电压降的导通状态变化之间只有25°C和适度150°C。
这IGBT是理想的许多高电压开关应用程序运行在高频段低传导损失的地方是至关重要的。该装置已经对于优化中频率切换式电源供应。
发育类型TA49485从前
特征
集电极-发射极饱和压降低。。。。。。。。。。。< 1.4V马克斯
低EOFF。。。。。。。。。。。< 200µJ
SCWT(@ 125°C)=研究。。。。。。。。> 8µs
300V切换SOA能力
正面-发射极饱和压降低温度系数以上的菲薄工资而 全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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