FQT13N06L

概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合低电压应用，如汽车，直流/直流转换器，效率高，在便携式和电池供电产品的电源管理开关。

特点
2.8A，60V
的R DS（ON）= 0.11 W @ V GS = 10 V
低栅极电荷（典型值4.8 NC）
低CRSS（典型值17 pF的）
快速开关
改进的dv / dt能力

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