FDC638APZ

概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET使用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能低栅极电荷
这些设备非常适合用于电池供电应用：负荷开关和电源管理，电池充电电路，和DC / DC转换。

特点
最大R DS（ON）=43mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 4.5A
最大R DS（ON）=68mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 3.8A
低栅极电荷（8nC典型值）。
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）。
SuperSOT™-6包：占地面积小（72％比标准小，因此° C8）低调（1mm厚）。
符合RoHS标准
使用绿色包装材料的制造。
无卤素

应用/框图（S）
直流 - 直流转换

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