FQD3P50TM_F085

概述

这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些设备非常适合基于免费半桥的电子灯镇流器。

特点

2.1A，500V，电阻R DS（ON）=4.9Ω@ V GS = 10 V
低栅极电荷（典型的18 NC）
低CRSS（典型值9.5 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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