FCH47N60

概述

的SuperFET™，飞​​兆半导体专有的新一代，高电压MOSFET系列，是利用一种先进的收费出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能的平衡机制。
这种先进的技术已经调整，以尽量减少传导损耗，提供出色的开关性能，并承受极端的dv / dt速率和更高的雪崩能量的。 因此，的SuperFET是非常适合各种AC / DC开关系统的小型化和高效率的操作模式的电源转换。

特点

650V @ TJ = 150℃
典型。 RDS（ON）=0.058Ω
超低栅极电荷（典型值QG = 210nC）
低有效的输出电容（典型值Coss.eff = 420pF）
100％的雪崩测试

应用笔记

AN - 9067：在LLC谐振转换器的MOSFET失效模式分析（1485 K），2011年8月19日

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