FQA9P25

概述

这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合于高开关DC / DC转换器的效率。

特点

- 10.5A，250V，电阻R DS（ON）=0.62Ω@ V GS = 10 V
低栅极电荷（典型的29 NC）
低CRSS（典型值27 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。