FCP11N60N

概述

SupreMOS MOSFET，飞兆半导体的高电压的超结MOSFET的下一代，采用了深沟槽填筑过程中，区别于前面的多外延为基础的技术。 利用这种先进的技术和精确的过程控制，SupreMOS提供世界一流的可吸入悬浮粒子，出色的开关性能和耐用性。
这SupreMOS MOSFET适合PFC，服务器/电信电源，平板电视电源，ATX电源，工业电源应用业界的AC - DC SMPS的要求

特点

的R DS（ON）=0.255Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 5.4A
超低闸电荷（典型值QG = 27.4nC）
低有效输出电容
100％的雪崩测试
符合RoHS标准

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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