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描述
是一个大的FDZ3N513ZT NMOS /肖特基组合(FETky)和设计和有线的功能相当于一个断续(DCM)提高LED动力传动为移动LED背光的应用。
特征
单片NMOS和肖特基二极管
超小型形式因素等级的可行性WLCSP x
马克斯关系型数据库(在)= = 462 mΩ4.5 V在VGS,身份证= 0.3
马克斯关系型数据库(在)= 520 mΩVGS = 320 V,在一个ID = 0.3
2000V恒ESD保护水平(Note3 >)
RoHS柔顺
应用程序/框图
为提高转炉动力锂离子LED背光的单一细胞全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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