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描述
该设备是专门设计作为一个单一的整体包装解决方案为提高拓扑结构在手机和其他ultra-portable应用。它的特点是低输入电容,场效应晶体管导通状态总闸门电荷和阻力。一项独立连接置肖特基二极管作低正向电压和反向漏电流,以最大限度地提高效率。
特征
马克斯关系型数据库(在)= = 299 mΩ4.5 V在VGS,身份证= 1.6
马克斯关系型数据库(在)在VGS = = 410 mΩ2.5 V、身份证= 13
低调:0.55 mm最大1.6x1.6新的包装MicroFET瘦
自由从卤代化合物和锑氧化物
恒ESD保护水平(Note3 1600V >)
RoHS柔顺
应用程序/框图
促进功能 全新原装进口，现货库存，欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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