FDZ391P

概述

飞兆半导体先进的1.5伏特与艺术“低间距”超薄的WLCSP封装过程中的状态的PowerTrench的过程中设计，FDZ391P最大限度地减少PCB空间和R DS（ON ）。 这种先进的WLCSP封装的MOSFET，体现在包装技术的突破，使该器件结合优良的热传输特性，超低扁平封装，低栅极电荷， 低R DS（ON ）。

特点

最大的R DS（ON）= 85MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -1甲
最大的R DS（ON）= 123MΩ，在V GS = -2.5 V，I D = -1甲
最大的R DS（ON）= 200MΩ，在V GS = -1.5 V，I D = -1甲
只占用PCB面积1.5 mm2的
超薄包：小于0.4毫米的高度安装到PCB上时，
符合RoHS标准

应用/框图（S）

电池管理
负荷开关
电池保护

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