FDS8949_F085

概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。
这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。

特点

最大R DS（ON）=29mΩ，@ V GS = 10V
最大R DS（ON）=36mΩ，@ V GS = 4.5V
低栅极电荷
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
高功率和电流处理能力
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

应用/框图（S）

逆变器
电源供应器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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