FDZ371PZ

概述

飞兆半导体先进的1.5伏的PowerTrench ®与艺术“细间距的”超薄的WLCSP封装过程中的状态的过程设计，FDZ371PZ最大限度地减少电路板空间和R DS（ ON）。 这种先进的WLCSP封装的MOSFET，体现在包装技术的突破，使该器件结合优良的热传输特性，超低调包装，低栅极电荷和低R DS（ON ）。

特点

最大R DS（ON）= 75MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -2.0一个
最大R DS（ON）= 90MΩ在V GS = -2.5 V，I D = -1.5一个
最大R DS（ON）= 110MΩ，在V GS = -1.8 V，I D = -1.0一个
最大R DS（ON）= 150MΩ，在V GS = -1.5 V，I D = -1.0一个
面积只有1.0平方毫米的PCB area.Less超过30％的面积为2 × 2的BGA
超薄包：小于0.4毫米的高度安装到PCB上时，
HBM ESD保护水平> 4.4kV典型（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）

电池管理
负荷开关
电池保护

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