概述
这些双P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,高细胞密度,DMOS技术。 这非常高的密度过程,尤其是量身定制,以最大限度地减少通态电阻。 本装置已设计,特别是对作为一个负载switchimg应用的数字晶体管替代低电压应用。 由于偏置电阻不需要这一个P沟道FET可以代替几个IMBxA系列等不同的偏置电阻的数字晶体管。
特点
-25 V,-0.12一个连续的,-0.5高峰。 RDS(ON)= 13 W @ VGS = -2.7 V时,RDS(ON)= 10瓦@ VGS = -4.5 V 。
非常低的水平栅极驱动的要求,允许直接操作在3V电路。 VGS(TH)<1.5V。
门源齐纳二极管的ESD坚固性。 > 6kV的人体模型
替换之一的DMOS FET的多个PNP(IMHxA系列)数字晶体管。
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