FDZ191P

概述

设计飞兆半导体先进的1.5V的PowerTrench工艺与艺术“低投球”的WLCSP封装过程中的状态，FDZ191P还最大限度地减少了 PCB 空间和R DS （ON）。 这种先进的WLCSP封装的MOSFET，体现在包装技术的突破，使该器件结合优良的热传输特性，超低调包装，低栅极电荷和低R DS（ON ）。 。

特点

最大R DS（ON）=85mΩ，在V GS = 4.5V，I D = - 1A
最大R DS（ON）=123mΩ，在V GS = 2.5V，I D = - 1A
最大R DS（ON）=200MΩ，V GS = 1.5V，I D = - 1A
面积只有1.5平方毫米的电路板面积小于50％的面积为2 × 2的BGA
超薄封装：小于0.65毫米的高度安装到PCB上时，
符合RoHS标准

应用/框图（S）

电池管理
负荷开关
电池保护

应用笔记

AN - 9045：WLCSP大会指南 （331 K）2011年8月05，

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