FDC655BN

概述

这N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别针对通态电阻的最小化，但保持出色的开关性能。

这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。

 
特点

6.3A，30V
R DS（ON）= 25 m宽的V GS = 10V
R DS（ON）= 33 m宽的V GS = 4.5V
快速开关
低栅极电荷
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术

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