FDY2000PZ

概述
这双P沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽过程优化的 R DS（ON），@ V GS = - 2.5V 。

特点
-350毫安，-20 V
R DS（ON）= 1.2Ω@ V GS = - 4.5 V
R DS（ON）= 1.6Ω@ V GS = - 2.5 V

ESD保护二极管（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）
锂离子电池

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。