FDS8433A

概述
这种P沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度processis特别定制，以尽量减少通态电阻，并提供出色的开关性能。

特点
-5甲，-20诉R DS（ON）= 0.047 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.070 W @ V GS = -2.5 V
开关速度快。
非常低R DS（ON），高密度的单元设计。
高功率和电流处理能力。

应用/框图（S）
负荷开关
DC / DC转换器
电池保护

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