FDS9958_F085

概述

指定这些P沟道逻辑电平MOSFET均采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷的过程。
这些器件非常适合于便携式电子产品的应用：负荷开关和电源管理，电池充电和保护电路。

特点

最大R DS（ON）=105mΩ，在V GS = 10V，I D = 2.9A
最大R DS（ON）=135mΩ，在V GS = 4.5V，I D = - 2.5A
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

应用/框图（S）

负荷开关
电源管理

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