FDS4559_F085

概述

这种互补MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。

特点

问题1：N沟道
4.5 A，60 V。
R DS（ON）= 55 m宽的V GS = 10V
R DS（ON）= 75 m宽的V GS = 4.5V
问题2：P通道
-3.5 A，-60 V。
R DS（ON）= 105 m宽的V GS = 10 V
R DS（ON）= 135 m宽的V GS = -4.5 V

应用/框图（S）

DC / DC转换器
电源管理
LCD背光逆变器

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