FDS89161

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽®进程，已优化的R DS（ON）开关性能和耐用性生产。

特点

最大R DS（ON）= 105mΩat的V GS = 10V，I D = 2.7
最大R DS（ON）= 171MΩ，在V GS = 3.6 V，I D = 2.1
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

同步整流
对于桥拓扑的主开关

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