FDS86141

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench™过程中已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。

特点

最大的R DS（ON）= 23MΩ在V GS = 10V，I D = 7A
最大的R DS（ON）= 36MΩ在V GS = 6V，I D = 5.5A
薄型 - 1毫米最大功率33
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

直流 - 直流转换

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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