FDS8880

概述

已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）和快速开关速度。

特点

R DS（ON）= 10 m宽的V GS = 10V @我= 11.6A
R DS（ON）=12米W @ V GS = 4.5V @我= 10.7A
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
低栅极电荷
高功率和电流处理能力

应用/框图（S）

DC / DC转换器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。